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一个用单管单位作成的4096单位MOS存储器件

更新时间: 2019-08-03    浏览次数:
 

  柏娜;吕百涛;;时龙兴;;随机波动惹起的6T SRAM拜候失效率阐发[J];微电子学;2011年04期

  金做霖;张平易近选;孙岩;石文强;;栅氧退化效应下纳米级SRAM单位临界电荷阐发[A];第十五届计较机工程取工艺年会暨第一届微处置器手艺论坛论文集(B辑)[C];2011年

  施教芳;苏品刚;王俭;;CPU片上热敏元件及结构研究[J];微电子学取计较机;2011年09期

  张承义;超深亚微米微处置器漏流功耗的系统布局级优化手艺研究[D];国防科学手艺大学;2006年

  贺朝会;陈晓华;王燕萍;姬琳;李国政;;FLASH ROM的14MeV中子辐照尝试研究[A];第9届全国核电子学取核探测手艺学术年会论文集[C];1998年

  刘客;130nm工艺下600MHz SRAM的全定制设想取实现[D];国防科学手艺大学;2009年

  邢修三;;浅论消息理论及其取生命科学的连系[A];全国复杂系统研究论坛论文集(一)[C];2005年

  吴琦;魏建中;;微处置器(CPU)的稳态电离辐射(总剂量)试验[A];第十一届全国靠得住性物理学术论文集[C];2005年

  于跃;郭旗;任迪远;伟;;静态随机存储器抗总剂量辐射机能筛选正在线测试系统[A];第十届全国抗辐射电子学取电磁脉冲学术年会论文集[C];2009年

  堂;;新世纪中的计较机使用前景[A];中河山木匠程学会第八届年会论文集[C];1998年

  赵利;陈中梁;胡瑜;李晓维;;软硬件协同的微处置器靠得住性设想评估平台[A];第六届中国测试学术会论说文集[C];2010年

  张佶;金钢;吴雨欣;陈怡;林殷茵;;一种三维多层1TxR阻变存储器设想[J];复旦学报(天然科学版);2011年04期

  张家胜;陈吉华;徐庆光;温亮;;带漏流节制的锁存式放大器[A];第十五届计较机工程取工艺年会暨第一届微处置器手艺论坛论文集(A辑)[C];2011年

  正 媒介因为MOS器件比双极器件包含较少的制制步调,因此用它们来做成廉价的大容量存储器是很现实的[1]。大规模集成MOS存储器(表1)的敏捷成长起头于1970年的256单位的MOS器件[2]。其后转为用电容做为存储数据的动态单位[3]以及制制工艺的改良使添加拆卸密度成为可能。动态的1024单位的器件曾经构成UNIDATA及其它形式的计较机中的尺度硬件。我们为将来的存储器[4]已研制成二个4096单位N沟道硅栅工艺的MOS器件

  周兴铭;;驱逐新世纪的计较机系统布局[A];面向21世纪的科技前进取社会经济成长(上册)[C];1999年

  李祖松;龙芯2号处置器多线程手艺研究[D];中国科学院研究生院(计较手艺研究所);2006年

  玉;;CPU-跨世纪消息的引擎[A];全省医疗设备办理研讨会论文集[C];1998年